將集設計和制作技術于一體,尤其
在保證芯片可靠性的制造工藝方面具備重大優(yōu)勢。
1)芯片設計方面,公司在外延結構設計和芯片設計方面,創(chuàng)新采用非對稱波導結構設計、量子阱結構優(yōu)化等新技術,有效降低量子阱激光器的閾值電流密度,降低端面光功率密度,提升產(chǎn)品的性能和可靠性。
2)芯片制造方面,在已掌握關鍵技術基礎上,通過創(chuàng)新的光刻/刻蝕/蒸鍍技術、量子阱失序技術、光柵制備技術、非泵浦窗技術、腔面鈍化和光學鍍膜技術、封裝工藝技術等,提高產(chǎn)品的性能。同時,不斷運用自動化、智能化、數(shù)字化技術,提升產(chǎn)線效率,降低成本,改善良率。
3)芯片測試表征方面,團隊建立完整的測試表征方法,包括器件性能測試、老化和壽命測試、器件失效分析等,并開發(fā)系列表征測試設備,為芯片研發(fā)及生產(chǎn)提供了強有力的保障。