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   激光雷達作為應用于自動駕駛汽車最重要的傳感器之一，可以精準測量、識別和跟蹤目標物，能幫助自動駕駛汽車避開障礙物，對于保證自動駕駛汽車行車安全具有重要意義，正吸引越來越多企業(yè)的關(guān)注和加入。
    而芯片作為激光雷達中最為核心的零部件，在很大程度上決定著激光雷達產(chǎn)品的性能，芯片的技術(shù)規(guī)格也決定著激光雷達的不同技術(shù)路線，可以說，芯片決定著無人駕駛最終選擇的技術(shù)方向。
    作為專注于高端半導體激光芯片研發(fā)和生產(chǎn)的專業(yè)制造商，瑞波光電已經(jīng)開發(fā)了從638nm到1550nm波段的多款產(chǎn)品，廣泛應用到工業(yè)加工、醫(yī)療美容、科研等領域，這些經(jīng)驗和技術(shù)積累為激光雷達芯片打下了良好的技術(shù)基礎。瑞波光電在發(fā)力激光雷達領域之后，就開始專注于上游的激光雷達芯片的研發(fā)和生產(chǎn)制造，其產(chǎn)品廣泛應用于測距望遠鏡、掃地機器人、無人物流車、無人駕駛等眾多領域。
    針對客戶和市場的需求，瑞波光電在原有產(chǎn)品的基礎上開發(fā)出新一代25W 905nm脈沖激光芯片，在發(fā)射功率、發(fā)散角、效率方面又做了大幅改善。
    例如最新905nm芯片相比之前版本功率平均提升20%左右，且線性度也得到改善，慢軸發(fā)散角從之前的16.8調(diào)整到10度。

圖1：瑞波25W 905nm芯片新舊版本功率的對比，測試條件：脈沖電流的脈寬為200ns，周期為200μs（即重復頻率為5Khz），相應的占空比為1/1000，室溫25℃。

圖2：瑞波光電25W 905nm芯片新舊版本慢軸發(fā)散角的對比（測試條件：脈沖電流的脈寬為0.1ms，周期為10ms，相應的占空比為1/100，測試脈沖電流為1A。）

    新款芯片的尺寸跟老款保持一致，長高寬分別為750μm *150μm *400μm，發(fā)光區(qū)域為10μm *84μm。
     瑞波光電開發(fā)的25W 905nm激光芯片具有電壓低、效率高等特點，具有長壽命、高可靠性以及高性價比的優(yōu)勢，目前正得到用戶的廣泛好評，出貨量持續(xù)增長。
    除此之外，瑞波光電也優(yōu)化了75W級905nm 脈沖式半導體激光芯片的性能，歡迎廣大激光雷達客戶前來咨詢。在新產(chǎn)品開發(fā)方面，瑞波光電也正在對20W 1550nm脈沖芯片進行可靠性驗證，預計明年第二季度推向市場。

關(guān)于瑞波光電
深圳瑞波光電子有限公司是由深圳清華大學研究院、國內(nèi)外技術(shù)專家共同創(chuàng)辦的從事大功率半導體激光器芯片研發(fā)和生產(chǎn)的高科技企業(yè)，擁有從半導體激光芯片外延設計、材料、制造工藝，到芯片封裝、表征測試等全套核心技術(shù)，可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導體激光芯片，封裝模塊及測試表征設備，并可提供研發(fā)咨詢服務。
公司芯片產(chǎn)品形式包括單管芯片（single-emitter）和bar條，功率從瓦級到數(shù)百瓦級，波長覆蓋可見光到近紅外波段，波長包含635nm、755nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等，輸出功率均達到國內(nèi)領先水平，可代替進口高端激光芯片；封裝產(chǎn)品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount)和CCP等；表征測試設備種類齊全、自動化程度高，包括Bar條綜合性能測試機、Full-bar 綜合性能測試機、COS綜合性能測試機、半導體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機、大功率半導體激光芯片器件老化/壽命測試機等。
公司產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)加工、醫(yī)療美容、光通信、激光顯示、激光測距、科研等領域。公司的發(fā)展目標是填補中國在大功率半導體激光器芯片領域的空白，成為世界一流的半導體激光器供應商，為我國現(xiàn)代化生產(chǎn)和科學研究做出貢獻。
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