目前激光是除斑除色素的優(yōu)秀解決方案,得到了廣泛的應(yīng)用,在色素性病變治療方面的主流波長有694nm、755nm、808nm、1064nm等,其中755nm波長是一個非常重要的應(yīng)用波長,主要原因為755nm波長對于黑色素吸收效果的專一性是所有激光除斑當(dāng)中最高的一個,專一性越高,去除黑色素的效果越明顯,清除率高,可縮短治療次數(shù),皮膚安全性也越高。
755nm波長:黑色素吸收率高
從黑色素的吸收峰來看,755nm的吸收系數(shù)為8-10,1064nm吸收系數(shù)在4-5之間。黑色素的吸收率隨波長增加而降低,波長越長,黑色素吸收越少。所以,黑色素吸收越高,激光作用就越明顯,755nm可充分作用于目標(biāo)靶組織。黑色素的吸收率隨波長增加而降低,波長越長,黑色素吸收越少,則治療時所需要的起效能量就越高。因此在黑色素吸收問題上,755nm激光使用較低的能量就能達(dá)到顯著的治療效果,將副作用降到最低。
755nm波長:黑色素相對血液的吸收能量比率高 血紅蛋白競爭性吸收少
將激光打到皮膚上,黑色素以及血液都會吸收能量,我們在考慮波長對黑色素吸收率強(qiáng)的同時,也不能忽視其對血液的吸收率,因為當(dāng)血液和黑色素兩者都能吸收的同時,黑色素就沒有相對優(yōu)勢了。由于血液并不是我們目標(biāo)要處理的對象,所以我們不希望血液吸能量吸得太好,因為血液吸能量吸得越好,代表越多能量并非有效率在處理黑色素。
非目標(biāo)物(血液)吸收能量,除了整體能量輸出要加強(qiáng)以務(wù)求黑色素獲得一定程度的刺激外,也會帶來不必要的副作用,例如紅腫、皮下出血、反黑等,延長了恢復(fù)時間之余,還增加副作用的風(fēng)險,如色素沉淀、反黑(hyperpigmentation)和反白 (hypopigmentation)。
所以,黑色素相對血液的吸收能量比率越好,意味著血紅蛋白競爭性吸收少,激光作用效果就越好。755nm黑色素相對血液的吸收能量比率好50倍,而1064nm黑色素相對血液的吸收能量比率只高16倍,相比之下,755nm作用效果比1064nm好3倍左右。
所以755nm激光的優(yōu)勢在于,它具有較高的黑色素吸收比率,血紅蛋白競爭性吸收少,這意味著它可以在較低的能量水平上就能達(dá)到效果,大大減少了上述副作用的機(jī)會,縮短了恢復(fù)時間,減少了所需的治療次數(shù)。
755nm波長:足夠的穿透深度
色素性皮膚問題的激光波長選擇在滿足上述兩個條件時,還有一個條件同樣至關(guān)重要,那就是這些波長對皮膚的穿透深度必須達(dá)到真皮層,才能有效改善淺表層至皮膚深層的色素性病變。
上圖中雖然沒有明確標(biāo)識出755nm波長的激光皮膚穿透深度,但根據(jù)波長區(qū)間對應(yīng)的穿透深度來看,以及結(jié)合下圖不同波長對皮膚的穿透深度不難看出,755nm波長能有效穿透至皮膚真皮層,對表皮到真皮各種色素病變都能達(dá)到不錯的治療效果。
755nm波長能有效穿透至皮膚真皮層
正是看到了激光在醫(yī)療美容市場的廣闊前景,作為國內(nèi)極少數(shù)研發(fā)和生產(chǎn)大功率激光芯片的專業(yè)供應(yīng)商-深圳瑞波光電子有限公司從2014年就開始研發(fā)醫(yī)療用激光芯片,現(xiàn)開發(fā)出755nm激光芯片,型號為RB-755A-350-8-2.5-SE,發(fā)光條寬350um,腔長2.5mm,工作功率8W,光電轉(zhuǎn)換效率42%,工作電壓1.9V。(根據(jù)單管芯片測試數(shù)據(jù)得到。單管芯片測試時,以 COS(Chip On Submount)封裝形式,COS 測試溫度為 25℃,熱阻為 2~3 K/W。)
755nm 芯片PIV曲線
755nm 芯片壽命測試曲線(連續(xù)電流)
瑞波光電755nm 芯片老化數(shù)據(jù)(脈沖電流,脈沖寬度50ms,重復(fù)頻率10Hz)。完成850小時,即3000萬個脈沖,滿足祛斑和脫毛應(yīng)用的壽命要求2000萬次
除了755nm波長外,瑞波光電針對醫(yī)療美容市場還開發(fā)了780nm、808nm、880nm、1064nm、1470nm、1550nm等多款單管芯片產(chǎn)品,均得到了市場的積極反饋和認(rèn)可,目前都在批量出貨中,歡迎感興趣的行業(yè)同仁前來咨詢。
關(guān)于瑞波光電
深圳瑞波光電子有限公司是由深圳清華大學(xué)研究院、國內(nèi)外技術(shù)專家共同創(chuàng)辦的從事大功率半導(dǎo)體激光器芯片研發(fā)和生產(chǎn)的高科技企業(yè),擁有從半導(dǎo)體激光芯片外延設(shè)計、材料、制造工藝,到芯片封裝、表征測試等全套核心技術(shù),可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導(dǎo)體激光芯片,封裝模塊及測試表征設(shè)備,并可提供研發(fā)咨詢服務(wù)。
公司芯片產(chǎn)品形式包括單管芯片(single-emitter)和bar條,功率從瓦級到數(shù)百瓦級,波長覆蓋可見光到近紅外波段,波長包含635nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等,輸出功率均達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平,可代替進(jìn)口高端激光芯片;封裝產(chǎn)品包括C-Mount、COS(Chip on Submount)、BOS(Bar on Submount)和CCP等;表征測試設(shè)備種類齊全、自動化程度高,包括Bar條綜合性能測試機(jī)、Full-bar 綜合性能測試機(jī)、COS綜合性能測試機(jī)、半導(dǎo)體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機(jī)、大功率半導(dǎo)體激光芯片器件老化/壽命測試機(jī)等。
公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療美容、光通信、激光顯示、激光測距、科研等領(lǐng)域。公司的發(fā)展目標(biāo)是填補(bǔ)中國在大功率半導(dǎo)體激光器芯片領(lǐng)域的空白,成為世界一流的半導(dǎo)體激光器供應(yīng)商,為我國現(xiàn)代化生產(chǎn)和科學(xué)研究做出貢獻(xiàn)。
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